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西安易恩电气科技有限公司

分立器件测试仪,晶体管图示系统,功率器件测试系统,IGBT测...

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美国吉时利 替代品 易恩MOS测试仪
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产品: 浏览次数:191美国吉时利 替代品 易恩MOS测试仪 
品牌: 易恩电气
尺 寸: 800×800×1800(mm)
测试速度: 0.5mS/参数
系统功耗: 380W
单价: 188.00元/台
最小起订量: 1 台
供货总量: 100 台
发货期限: 自买家付款之日起 30 天内发货
有效期至: 长期有效
最后更新: 2021-02-23 10:37
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详细信息
 美国吉时利 替代品 易恩MOS测试仪

西安厂家直供大功率MOS动静态测试系统

规格环境

A.  环境温度:    25±10℃,

B. 相对湿度:   湿度不大于65%

C.  大气压力:    86Kpa~ 106Kpa

D.  工作电压:三相五线制AC 380V±10%,或者单相三线制AC 220V±10%

E. 电网频率:    50Hz±1Hz

F.  压缩空气:   0.4~0.6Mpa

G.  防护:无较大灰尘,腐蚀或爆炸性气体,导电粉尘等空气污染的损害;功能简介

此设备具有以下测试单元。注:开关时间,二极管反向恢复,栅极电荷需要可在分装后测试,静态参数及雪崩测试需要在加电容前测试。

开关时间测试单元

开启延迟时间(Td(on))     上升时间(Tr)

关断延迟时间(Td(off))    下降时间(Tf)

开启损耗Eon              关断损耗Eoff

二极管反向恢复测试单元

反向恢复时间(Trr)       反向恢复电荷(Qrr)

栅极电荷测试单元

阈值电荷(Qg(th))      栅电荷(Qg)

静态全参数测试单元

RDS(ON) VGS(th) TDSS IGSS VSD R25

雪崩测试单元

雪崩电流(I),雪崩电压(V),雪崩能量(E)

测量的MOSFET动态参数

参数名称

符号

参数名称

符号

开通延迟时间

td(on)

关断延迟时间

td(off)

上升时间

tr

下降时间

tf

开通时间

ton

关断时间

toff

开通损耗

Eon

关断损耗

Eoff

栅极电荷

Qg

拖尾时间

tz

 

测量的DIODE动态参数

参数名称

符号

参数名称

符号

反向恢复时间

trr

反向恢复电荷

Qrr

 

 

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