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西安易恩电气科技有限公司

分立器件测试仪，晶体管图示系统，功率器件测试系统，IGBT测...

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实验室专用半导体分立器件高精度选型测试设备（西安易恩电气）
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产品： 浏览次数：250实验室专用半导体分立器件高精度选型测试设备（西安易恩电气） 
品牌： 西安易恩电气
电压频率： 50Hz±1Hz
系统功耗： 320W
尺 寸： 450x570x280mm
单价： 188.00元/台
最小起订量： 1 台
供货总量： 100 台
发货期限： 自买家付款之日起 3 天内发货
有效期至： 长期有效
最后更新： 2021-02-23 10:38
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详细信息

西安易恩电气坐落于西安渭北工业装备区，是陕西省政府重点支持的高新技术企业。公司专注于研发、生产和销售半导体封装、测试设备。现已成为国内电力电子行业知名的测试方案供应商。公司以自主研发生产的“轨道机车半导体测试系统”系列产品为主导，在此基础上相继推出全自动大功率IGBT参数测试系统，分立器件综合测试仪，功率器件图示系统，晶体管图示仪，MOS动静态测试测试仪，晶闸管测试仪，雪崩、浪涌、高温阻断、高温反偏、栅电荷测试系统等系列产品。广泛应用于科研院所、能源、电力电子、交通、船舶制造、高校等诸多领域。

分立器件测试设备测试可测试市面上常见的18类分立器件静态全参数，如一下参数；

1、二极管DIODE

测试参数名称

电压范围

电流范围

分辨率

精度

IR

0.10V-2kV

1nA(20pA)1-50mA

1nA(1pA)1

1%+10nA+20pA/V

(1%+200pA+2pA/V)1

BVR

0.10V-2kV

1nA-3A

1mV

1%+10mV

VF

0.10V-5.00V 

-9.99V

IF:10uA-50A(1250A)3

     -25A(750A)3

1mV

VF:1%+10mV

IF:1%+1nA

2、绝缘栅双极大功率晶体管IGBT

测试参数名称

电压范围

电流范围

分辨率

精度

ICES    

IGESF

IGESR

0.10V-2kV

0.10V-20V(80V)2

1nA(20pA)1-50mA

1nA(20pA)1-3A

1nA(1pA)1

1%+10nA+20pA/V

(1%+200pA+2pA/V)1

BVCES

0.1V-900V 

     -1.4KV

     -1.6KV

100μA-200mA

      -100mA        

      -50mA

1mV

1%+100mV

VGETH

0.10V-20V(50V)2

1nA-3A

1mV

1%+10mV

VCESAT ICON

VGEON VF

gFS(混合参数)

VCE:0.10V-5.00V 

        -9.99V

VGE:0.10V-9.99V

IC:10uA-50A(1250A)3

-25A(750A)3 

IF, IGE:1nA-10A

1mV

V:1%+10mV

IF  IC:1%+1nA

IGE:1%+5nA

3、晶体管  TRANSISTOR

测试参数名称

电压范围

电流范围

分辨率

精度

ICBO ICEO/R/S/V

IEBO

0.10V-2kV

0.10V-20V(80V)2

1nA(20pA)1-50mA 1nA(20pA)1-3A

1nA(1pA)1

1%+10nA+20pA/V

(1%+200pA+2pA/V)1

BVCEO 

BVCBO

BVEBO

0.10V-900V

-1.4kV

-1.6kV

0.10V-2KV

0.10V-20V(80V)2

1nA-200mA

-100mA

-50mA

-50mA

1nA(20pA)1-3A

1mV

1%+10mV

1%+10mV

hFE(1-10000)

VCE:0.10V-5.00V

        -9.99V

        -49.9V

IC:10uA-50A(1250A)3

     -25A(750A)3

      -3A

IB:1nA-10A

0.01hFE

VCE:  1%+10mV

IC:  1%+1nA

IB:  1%+5nA

VCESAT VBESAT

VBE(VBEON)  RE

VCE:0.10V-5.00V 

-9.99V

VBE:0.10V-9.99V

IE:10uA-50A(1250A)3

     -25A(750A)3

IB:1nA-10A

1mV

V：1%＋10mV

IE：1%＋1nA

IB：1%＋5nA

4、MOS场效应管  MOS-FET

测试参数名称

电压范围

电流范围

分辨率

精度

IDSS/VIGSSFIGSSR

VGSFVGSR

0.10V-2kV

0.10V-20V(80V)2

1nA(20pA)1-50mA

1nA(20pA)1-3A

1nA(1pA)1

1%+10nA+20pA/V

(1%+200pA+2pA/V)1

BVDSS

0.10V-2kV

1nA-50mA

1mV

1%+100mV

VGSTH

0.10V-49.9V

ID:100uA-3A

1mV

1%+ 10mV

VDSON、VF(VSD)

IDON、VGSON

RDSON(混合参数)

gFS (混合参数)

VD VF:0.10V-5.00V 

-9.99V

VGS:0.10V-9.99V

IFID:10uA-50A(1250A)3

     -25A(750A)3

IG:1nA-10A

1mV

V:1%+10mV

IF.ID:1%+1nA

IG：1%+5nA

5、J型场效应管J-FET

测试参数名称

电压范围

电流范围

分辨率

精度

IGSS    IDOFF

IDGO

VGS:0.10V-20V(80V)2

VDS:0.10V-999V

1nA(20pA)1-3A 1nA(20pA)1-50mA

1nA(1pA)1

 

1%+10nA+20pA/V

(1%+200pA+2pA/V)1

BVDGO

BVGSS

0.10V-2kV

0.10V-20V(80V)2

1nA-50mA

1nA-3A

1mV

1%+100mV

1%+10mV

VDSON，VGSON

IDSS，IDSON

RDSON (混合参数)

gFS  (混合参数)

0.10V-5.00V

     -9.99V

ID:10uA-50A(1250A)3

   -25A(750A)3

IG:1nA-10A

1mV

V:1%+10mV

ID:1%+1nA

IG:1%+5nA

VGSOFF

0.10V-20V(80V)2

ID:1nA(20pA)2-3A

VD:0.10V-50V

1mV

1%＋10mV

6、单向可控硅整流器（普通晶闸管）SCR

测试参数名称

电压范围

电流范围

分辨率

精度

IDRM、IRRM、

IGKO

0.10V-2kV

0.10V-20V(80V)2

1nA(20pA)1-50mA 1nA(20pA)1-3A

1nA(1pA)1

1%+10nA+20pA/V

(1%+200pA+2pA/V)1

VDRM、VRRM

BVGKO

0.10V-2kV

0.10V-20V(80V)2

1nA-50mA

1nA-3A

1mV

1mV

1%+100mV

1%+10mV

VTM

0.10V-5.00V 

-9.99V

10uA-50A(1250A)3

     -25A(750A)3

1 mV

VT:1%+10mV

IT:1%+1nA

I GT

VGT

VD:5V-49.9V

VGT:0.10V-20V(80V)2

VT:100mV-49.9V

IGT:1nA-3A

RL:12Ω/30Ω/100Ω

/EXT

1mV

1nA

1%+10mV

1%+5nA

IL(间接参数)

VD:5V-49.9V

IL:100μA-3A

IGT:1nA-3A

RL:12Ω/30Ω/100Ω

/EXT

N/A

N/A

IH 

VD:5V-49.9V

IH:10uA-1.5A

IGT:1nA-3A

RL:12Ω/30Ω/100Ω

/EXT

(IAK初值由RL设置)

1uA

1%+2uA


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